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半導(dǎo)體分立器件FH646型NPN硅功率達(dá)林頓晶體管詳細(xì)規(guī)范

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： SJ 20307-1993
替代情況：
發(fā)布單位： 電子工業(yè)部
起草單位： 中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院 等
發(fā)布日期： 1993-05-11
實(shí)施日期： 1993-07-01
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更新日期： 2025年06月09日
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內(nèi)容摘要

本規(guī)范規(guī)定了FH646型NPN硅功率達(dá)林頓晶體管的詳細(xì)要求。每種器件均按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和GCT級(jí))。


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