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高分辯率X射線衍射測量GaAs襯底生長的AlGaAs中Al成分的試驗方法

標 準 號: GB/T 24576-2009
替代情況:
發(fā)布單位: 中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
起草單位: 信息產業(yè)部專用材料質量監(jiān)督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研究所
發(fā)布日期: 2009-10-30
實施日期: 2010-06-01
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更新日期: 2025年02月26日
內容摘要

本標準規(guī)定了用高分辨X 射線衍射測量GaAs襯底上AlGaAs外延層中Al含量的試驗方法。
本方法適用于在未摻雜GaAs襯底<001>方向上生長的AlGaAs外延層中Al含量的測定,使用
本方法測量Al元素含量時,AlGaAs外延層厚度應大于300nm。

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