本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了由測(cè)量硅片間隙氧含量的減少量來檢驗(yàn)硅片氧沉淀特性的方法原理、取樣規(guī)則、熱處理程序、試驗(yàn)步驟、數(shù)據(jù)計(jì)算等內(nèi)容。本標(biāo)準(zhǔn)用于定性比較兩批或多批集成電路用硅片間隙氧沉淀特性。